2024-01-15 05:28
据外媒报道，光刻机霸主ASML（阿斯麦）已经开始出货新品Twinscan NXT:2000i DUV（NXT:2000i双工件台深紫外光刻机），可用于7nm和5nm节点。
ASML将于本季度末开始量产Twinscan NXT:2000i，价格未披露。目前，NXE:3400B EUV光刻机的报价是1.2亿美元一台，传统的ArF沉浸式光刻机（14nm节点）报价是7200万美元之间， NXT:2000i肯定是在这两者之间了。
ASML脱胎于荷兰飞利浦的光刻研发小组，2017年全球光刻机市场占比7成，是绝对的一哥，后面跟着的是佳能、尼康和上海微电子。
根据最新公布的财报，ASML今年第二季度收入27.4亿欧元，同比增长19.9％，超出分析师预期，毛利率43.3％。
其中，光刻机设备销售收入为20.86亿欧元，占比高达76％，再细分的线％，主流ArF沉浸式光刻机占比49％。
事实上，整个第二季度ASML只出货了4台EUV光刻机，但这也比预期的多了1台，而目前其手中的EUV订单量是7台(第二季度新增1台)，全年预计出货超过20台，明年可超过30台。
今年初，在芯片制造商会议上，GlobalFoundries研究副总裁George Gomba就表示，唯一有能力做250瓦EUV光刻机的ASML提供的现款产品NXE-3400仍不能满足标准，他们建议供应商好好检查EUV光罩系统，以及改进光刻胶。
光刻就是将构成芯片的图案蚀刻到硅晶圆上过程。晶圆上涂有称为光刻胶的光敏材料，然后将该晶圆暴露在通过掩模照射的明亮光线下。掩模掩盖的区域将保留其光刻胶层，而直接暴露于紫外线的那些会脱落。
接着使用等离子体或酸蚀刻晶片（浸式）。在蚀刻过程中，被光刻胶中覆盖的晶片部分得到保护，可保留氧化硅; 其他被蚀刻掉。
显然，光线波长小的话可以创造更精细的细节，比如更窄的电路、更小的晶体管。不过在当下14nm的制造中并没有使用，而是借助多重图案曝光技术（多个掩膜和曝光台）实现。
可是步骤越多，制造时间就会越长，缺陷率也会随之提高。所以，更短的紫外线光不得不被提升上技术日程。
芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻（紫外线nm。EUV本身也有局限，比如容易被空气和镜片材料吸收、生成高强度的EUV也很困难。业内共识是，EUV商用的线瓦，Intel还曾说，他们需要的是至少1000瓦。
会上，三星/台积电的研究人员透露，在NXE-3400下光刻有两个棘手问题，或蚀刻掉的区域不足造成短路，或时刻掉的区域过量，导致撕裂。
当下，EUV光刻机对20nm以上尺寸级别的工艺来说缺陷率是可接受的，往下的话还是难度重重。返回搜狐，查看更多